Ein Elko ist gar nicht nötig, die wenige Energie, die in diesen kurzen Pulsen steckt, bekommt grundsätzlich auch ein Kerko gepuffert. Das Problem werden aber auch da die Induktivitäten sein, sowohl die interne (ES
L im Elko) als auch die der Leiterbahnen, weil die Pins Vdd und GND des Shifters so weit auseinander sind, dass selbst auf kürzestem machbarem Weg sicher einige zehn Nanohenry zusammenkommen. Nanosekunden-kurze Pulse sind echt schwer wegzubekommen, wenn sie einmal entstanden sind.
Ich habe mich unterdessen daran erinnert, dass ich ja auch SPICE-Modelle von einigen ASIC-Grundstrukturen (u.a. Ausgangstreiber) ausgegraben hatte. Daher habe ich mich mal dran gemacht, ein simples Modell aufzusetzen inkl. Leiterbahn- und Bonddrahtinduktivitäten. Der Treiber für den RAM-Zugriff schaltet in der Simulation im selben Takt wie in der Realität, gleichzeitig gucke ich mir das simulierte Signal auf dem Mono-Ausgangspin an.
Wenn ich mich in eine der "process corners" der Halbleiterprozesses setze, komme ich auf frappierend ähnliche Ergebnisse wie in meiner Messung, wenngleich mit geringeren Amplituden. Aber wer sagt mir, dass das IC im Laufe des letzten Vierteljahrhunders sich nicht sogar über die damals angenommenen "process corners" hinaus verschlechtert hat?
Simulation:
Messung:
